經(jīng)歷了內(nèi)存瘋長(zhǎng)的大浪，時(shí)下內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)回落到一個(gè)不錯(cuò)的水平了。不過(guò)發(fā)現(xiàn)很多小伙伴對(duì)內(nèi)存還是一知半解，今天不妨和大家分享一下。其實(shí)，從第六代酷睿處理器開始就已經(jīng)改用最新的DDR4內(nèi)存了，但是直到今年，DDR4才算有了普及之勢(shì)，包括英特爾的第八代酷睿處理器，還有AMD的銳龍?zhí)幚砥鳎疾捎昧薉DR4內(nèi)存作為標(biāo)配。
DDR3、DDR4大有區(qū)別
首先，DDR3、DDR4技術(shù)上應(yīng)該是前后繼承的關(guān)系，但不是同一種，從外觀上看，內(nèi)存本身就存在著比較大的差別。這里貼一張圖就能讓大家明白他們之間的外形差異了——金手指的缺口位置不同是最大的差別，這種設(shè)計(jì)上的差異其實(shí)最大好處就是防止混淆內(nèi)存規(guī)格，DDR3內(nèi)存插不進(jìn)支持DDR4內(nèi)存的主板，反之亦然，就是讓用戶不必?fù)?dān)心插錯(cuò)的問(wèn)題。
頻率的奧秘你絕對(duì)不知
除了外形的差別，頻率上DDR3和DDR4也有差別。這里也要提一句，所謂的“頻率”其實(shí)是說(shuō)“等效頻率”，實(shí)際物理頻率沒(méi)有標(biāo)稱的那么高。拿DDR3 1600來(lái)說(shuō)好了，首先內(nèi)存核心頻率沒(méi)有那么高只有200MHz（你.沒(méi).看.錯(cuò)），而標(biāo)稱的1600只是因?yàn)橐淮蝹鬏敹啾稊?shù)據(jù)（等效）而已，不是代表它運(yùn)行在1600MHz的頻率上；DDR4 2400內(nèi)存核心運(yùn)行頻率為300MHz，等效為2400，其實(shí)大家可以看到，沒(méi)有人會(huì)寫DDR4 2400MHz，因?yàn)檫@個(gè)只是等效2400的頻率，不是物理運(yùn)行頻率。
目前，DDR3主要就是1600的規(guī)格，DDR4則有2133、2400、2666幾種規(guī)格，其中DDR4 2400為當(dāng)前主流產(chǎn)品，在購(gòu)買內(nèi)存的時(shí)候，如果不是超頻玩家，DDR4 2400就足夠了（DDR4 2133瀕臨淘汰，價(jià)格也沒(méi)優(yōu)勢(shì)）。
都是內(nèi)存 電壓大不同
再有一個(gè)差別就是電壓。從DDR1的2.5V電壓進(jìn)化到DDR2的1.8V電壓，DDR3時(shí)已經(jīng)變成了1.5V電壓，不過(guò)后來(lái)因?yàn)槌瑯O本等設(shè)備的需求，DDR3進(jìn)一步演變成了DDR3L（低電壓版）1.35V，到了DDR4時(shí)代就直接變成了1.2V。更低的電壓代表著更低的電力消耗，但是又擁有更高的頻率更高的等效效能，這是為啥？大家平時(shí)總說(shuō)的XX納米制程工藝就在這里體現(xiàn)出價(jià)值了。更先進(jìn)的制程工藝可以大幅改善漏電問(wèn)題（芯片內(nèi)的哦，不是家里的市電），提升功耗/性能比，所以這也是為什么制程工藝在不斷演進(jìn)的根本原因。
內(nèi)存帶寬決定了性能
內(nèi)存帶寬和處理器的能力息息相關(guān)，處理器提供什么樣的內(nèi)存控制器不僅決定了支持內(nèi)存的規(guī)格，也決定了內(nèi)存帶寬最大的上限。
就拿雙通道內(nèi)存技術(shù)來(lái)說(shuō)好了，雙通道的性能會(huì)釋放處理器的性能。可能很多人會(huì)問(wèn)雙通道究竟是什么，小編簡(jiǎn)單概括一下，成對(duì)的內(nèi)存安裝方式就是雙通道。不同的時(shí)，家用主板即便有四條內(nèi)存插槽，就算都插滿內(nèi)存也只是雙通道而已，因?yàn)樘幚砥髦荒芴峁╇p通道內(nèi)存技術(shù)規(guī)格，只有高端處理器才會(huì)集成四通道設(shè)計(jì)。
雙通道理論上可以提升兩倍帶寬，但是實(shí)際上雙通道也會(huì)有打折，包括延遲也會(huì)影響理論最大性能的表現(xiàn)等等，不過(guò)即便如此也比單通道時(shí)性能好多了。
當(dāng)然，有些主板還有特殊的技術(shù)，比如超過(guò)CPU控制器的內(nèi)存支持幅度，其實(shí)就是主板做了個(gè)異步內(nèi)存處理，這樣可以讓超頻玩家使用更高規(guī)格的內(nèi)存獲得更好的內(nèi)存帶寬性能。不過(guò)對(duì)于一般用戶來(lái)說(shuō)，DDR3/L 1600和DDR4 2400都是一段時(shí)間內(nèi)的“內(nèi)存標(biāo)配”了。
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